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　　IC制造所需的超純水中，優(yōu)選關注的指標為：Particle、TOC、Si、堿金屬、堿土金屬、重金屬、DO、細菌等細菌的影響與TOC和顆粒的影響基本相同，在清洗用水中，如果含有不純物或微粒會導致柵氧化膜厚度不均，產(chǎn)生圖形發(fā)生缺陷；耐壓性變差，超純水中的有機物等不純物會使產(chǎn)品結晶不良，DO會使硅片表面的氧化膜提前完成

　　

　　應用案例：晶圓廠生產(chǎn)/切割用超純水系統(tǒng)

　　

　　1、水質要求：

　　

　　a、電阻：≥18.2mΩ.cm

　　

　　b、TOC：<20ppb

　　

　　c、particle（≧0.1um）：≦20pcs/ml

　　

　　d、particle（≧0.2um）：≦10pcs/100ml

　　

　　e、DO：≤80ppb

　　

　　f、細菌總數(shù)：≤1個/100mL（cfu）

　　

　　g、輸送壓力：4.0±0.5 kg/cm2（恒壓變頻）

　　

　　h、溫度;22±2℃

　　

　　2、工藝流程：

　　

　　預處理（砂+碳+軟化或者UF）→RO增壓泵浦→1μm過濾器→防垢劑加藥系統(tǒng)→一級RO系統(tǒng)→一級RO水箱→二級RO高壓泵浦→二級RO系統(tǒng)→純水箱→EDI增壓泵浦→UV滅菌器→0.2μm精密過濾器→EDI膜堆單元→氮封水箱→超純水輸送泵→終端板式換熱器→脫氧膜系統(tǒng)→TOC降解器→一級拋光樹脂→二級拋光樹脂→0.2μm終端過濾器→終端UV滅菌器→0.1μm終端過濾器→使用點